特点:
1.优化的测试电路设计使残值更小
2.高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术
3. LED数字读出品质因数,手动/自动量程切换
4.自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度
工频介电常数及介质损耗测试仪 ; 影响介电性能的因素
 ;下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。
1频率
 ;因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的。r和tans几乎是恒定的,且被用作工程电介质材料,然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。
 ;电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,最重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.
2温度
 ;损耗指数在一个频率下可以出现一个最大值,这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数最大值位置。
3湿度
 ;极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的.
 ;注:湿度的显著影响常常发生在1MHz以下及微波频率范围内
4电场强度
 ;存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数最大值的大小和位置也随此而变。
 ;在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关。
电感测量:
a.测量范围:14.5nH~8.14H。
b.分  ; ; ;档:分七个量程。
 ; ; ; ; ; ;0.1~1μH,  ; ; ;1~10μH,  ; ; ;10~100μH,  ;
 ; ; ; ; ; ;0.1~lmH,  ; ; ; ;1~10mH,  ; ; ; ;10~100mH,  ; ;100 mH~1H。
 ;附加特性对比??特性? | ?电桥法? | ?谐振法? |
温度适应性 | 需严格温控(高精度要求)8 | 对温湿度波动相对不敏感9 |
操作复杂度 | 复杂(需手动调节平衡)8 | 简便(自动扫频调谐)6 |
多参数测量能力 | 可同步测Cx、tanδ、Rx6 | 主要测Q值和谐振频率4 |
标准配置:
高配Q表 一只  ;
试验电极 ;一只(c类)
电感 ; ; ; ; ;一套(9只)
电源线 ; ; ;一条
说明书 ; ; ;一份
合格证 ; ; ;一份
保修卡 ; ; ;一份
频率适用范围??方法? | ?适用频率范围? | ?原因? |
电桥法 | 20Hz~MHz(中低频段) | 高频时杂散电容和残余电感导致桥路平衡困难,精度下降68。 |
谐振法 | MHz~GHz(高频段) | 电路结构简单,分布参数影响小,更适合高频测量49。 |
仪器特点:
☆接线简单(正接法两根线,反接可使用一根线),所有电缆线均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,测量电压缓升、缓降,全自动测量,结果直读,无须换算。
☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。
☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。
☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路,将矢量运算法与移相法结合,有效地消除强电场干扰对测量的影响,适用于500kV及其以下电站的现场试验。
☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能,不需外加任何设备,可完成不可拆头CVT的测量。一次接线(三根电缆,不用倒线),一个测量过程(大约1分钟),两个最终测量结果(C1和C2的介损及电容值)。测量过程中文显示,能实时监测自激电流值和试验电压(高压)值。能消除引线对测试的影响,测量结果准确可靠。
☆ 安全措施
(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。
(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。
(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。
(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。
(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。
☆VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。
☆打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。
☆RS232仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。
☆可选购与计算机通信应用程序。
测试注意事项
a.本仪器应水平安放;
b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;
c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;
d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;
e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;
f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
 ;
?场景? | ?推荐电桥类型? | ?优势? |
中低阻值精确测量(Ω级) | 惠斯通电桥 | 结构简单,成本低7 |
毫欧级微小电阻检测 | 凯尔文电桥 | 消除导线电阻误差7 |
高频介质损耗分析 | 西林电桥 | 支持10kV高压,抗干扰强 |
电桥法应用案例"。之前的对话历史显示用户已经了解电桥法和高频介质损耗试验仪的区别,现在转向实际应用场景。
首先看搜索结果中的案例分布。提到朋友用惠斯通电桥检测音响老化电阻的实例,非常生活化;详细说明了MEMS压力传感器中的惠斯登电桥结构,属于工业应用;和聚焦教学场景,提到高考物理的电桥法测电阻题型;列举了多个领域如光学参数测量和化学反应监测;描述了可燃气体检测和电子秤的应变片应用;对比了惠斯通和凯尔文电桥的适用场景;和则专门讲西林电桥在绝缘材料tanδ测量的案例;补充了介电常数测量的干扰因素。
试验步骤
1试样的制备
 ;试样应从固体材料上截取,为了满足要求,应按相关的标准方法的要求来制备。
 ;应精确地测量厚度,使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以内,测量点应均匀地分布在试样表面。必要时,应测其有效面积。
2条件处理
 ;条件处理应按相关规范规定进行。
3测量
 ;电气测量按本标准或所使用的仪器(电桥)制造商推荐的标准及相应的方法进行。
 ;在1 MHz或更高频率下,必须减小接线的电感对测量结果的影响。此时,可采用同轴接线系统(见图1所示),当用变电抗法测量时,应提供一个固定微调电容器。
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。
技术指标
2.1  ;测量范围及误差
 ; ; ; ;本电桥的环境温度为20?5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足
下列表中的技术指示要求。
 ;
 ; ; ; ;在Cn=100pF  ; ; ;R4=3183.2(W)(即10K/π)时
 ; ; ; ;测量项目 ; ; ; ; ; ;测量范围 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;测量误差 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;
 ; ; ; ;电容量Cx  ; ; ; ; ; ;40pF--20000pF  ; ; ; ; ;?0.5%  ;Cx?2pF  ; ; ; ;
 ; ; ; ;介质损耗tgd  ; ; ; ; ;0~1  ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;?1.5%tgdx?0.0001
 ; ; ; ;在Cn=100pF  ; ; ; ; ;R4=318.3(W)(即1K/π)时
 ; ; ; ;测量项目 ; ; ; ; ; ;测量范围 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;测量误差 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;
 ; ; ; ;电容量Cx  ; ; ; ; ; ;4pF--2000pF  ; ; ; ; ;?0.5%  ;Cx?3pF  ; ; ; ;
 ; ; ; ;介质损耗tgd  ; ; ; ; ;0~0.1  ; ; ; ; ; ; ; ; ;?1.5%tgdx?0.0001
2.2  ;电桥测量灵敏度
 ; ; ; ;电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,
希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量
成正比。
 ; ; ; ;在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这
个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)  ; ;
 ; ; ; ; ; ; ; ; ;式中:U为测量电压 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;伏特(V)
ω为角频率2pf=314(50Hz)  ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;Cn标准电容器容量 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;皮法(pF)
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;Ig通用指另仪的电流5X10-10  ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;安培(A)
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;Rg平衡指另仪内阻约1500  ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;欧姆(W)
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;R4桥臂R4电阻值3183  ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;欧姆(W)
 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;Cx被测试品电容值 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;皮法(pF)
2.3电容量及介损显示精度:
 ; ; ; ;电容量:?0.5%?tgδx?0.0001。
 ; ; ; ;介 ;损:?0.5%tgdx?1?10-4
2.4辅桥的技术特性:
 ; ; ; ;工作电压?12V,50Hz
 ; ; ; ;输入阻抗>;1012 W
 ; ; ; ;输出阻抗>;0.6 W
 ; ; ; ;放大倍数>;0.99
 ; ; ; ;不失真跟踪电压 ;0~12V(有效值)
2.5指另装置的技术特性:
 ; ; ; ;工作电压?12V
 ; ; ; ;在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V/格, 电流灵敏度不低于2X10-9A/格
 ; ; ; ;二次谐波 ;减不小于25db
 ; ; ; ;三次谐波 ;减不小于50db
介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。
概念:
电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。
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