【请登录】【免费注册】

首页新闻技术产品供应二手培训展会物流维修求购招商招标招聘企业

技术

搜索
技术文章机械知识技术技巧论文试题维修知识招投标知识
您的位置:盘古机械网>技术文章>技术技巧>详情

Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉汞晶体电学特性研究

时间:2021年01月13日浏览:219次收藏分享:
  某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 

 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 160 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

灯丝

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度. 

试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.

通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.

不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.

另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.

伯东版权所有, 翻拷必究!

热门文章

业务咨询:932174181   媒体合作:2279387437    24小时服务热线:15136468001 盘古机械网 - 全面、科学的机械行业免费发布信息网站 Copyright 2017 PGJXO.COM 豫ICP备12019803号