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       英国新一期《自然》杂志刊载新研究说，科研人员开发出一种分子材料，可克服传统电子元件造成的闪存空间限制问题，使存储卡提升存储能力。闪存是一种很普遍的数据存储技术，但由于现有的数据单元设计问题，限制了传统硅芯片所能存储的空间。

      为此，英国格拉斯哥大学研究人员与西班牙同行一起，利用一种被称为“多金属氧盐酸”的化合物，合成出一类可发挥存储作用的分子。实验显示，这种分子的结构稳定性和通电能力都符合要求，可用作闪存装置的存储节点。

      研究人员表示，这种新材料好处在于，它们可直接安装在现有的闪存设备中，而不需要重新设计整条闪存装置生产线，在扩大存储空间的同时还可节约成本。