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高频Q表介电常数测试仪高频Q表能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。该仪器广泛地用于科研机关、学校、工厂等单位。

高频Q表介电常数测试仪 ； 工作特性

 ； ； 1．Q值测量

 ； ；a．Q值测量范围：2～1023；

 ； ；b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；

c．标称误差

为什么介电常数越大，绝缘能力越强 .

因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。

介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。

注：这个性质不是绝对成立的。

对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下，也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较，这个结论是成立的。

但对于两个绝缘体就不一定了。

介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性，导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。

信号源频率覆盖范围

频率范围

10kHz～50MHz

频率分段

(虚拟)

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz

 ；

测量范围及误差

 ； ； ； ；本电桥的环境温度为20?5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足

下列表中的技术指示要求。

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ；R4＝3183.2（W）（即10K/π）时

 ； ； ； ；测量项目 ； ； ； ； ； ；测量范围 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；测量误差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；电容量Cx  ； ； ； ； ； ；40pF--20000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?2pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介质损耗tgd  ； ； ； ； ；0～1  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ； ； ；R4＝318.3（W）（即1K/π）时

 ； ； ； ；测量项目 ； ； ； ； ； ；测量范围 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；测量误差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；电容量Cx  ； ； ； ； ； ；4pF--2000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?3pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介质损耗tgd  ； ； ； ； ；0～0.1  ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ；

测试注意事项

a．本仪器应水平安放；

b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；

c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；

d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；

e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；

f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

测试注意事项

a．本仪器应水平安放；

b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；

c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；

d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；

e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；

f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

 ；

00001. ；?压力传感器（MEMS技术）?

? ；?原理?：硅薄膜上集成惠斯通电桥，受压时压敏电阻变化打破电桥平衡。

? ；?应用?：汽车胎压监测、工业过程控制，实时输出压力信号2。

00002. ；?可燃气体浓度检测?

? ；?原理?：催化燃烧式传感器中电桥一臂涂催化剂，可燃气体燃烧致电阻变化，电桥失衡输出信号。

? ；?应用?：煤矿、化工厂安全预警系统6。

00003. ；?绝缘材料老化诊断?

? ；?工具?：西林电桥测量介质损耗角正切（tanδ）。

? ；?场景?：高压变压器油纸绝缘状态评估，tanδ升高提示受潮或劣化。

典型操作步骤（以谐振法为例）

. 初始化 . ：开机后设置目标频率（如13.56MHz），夹具清零。

. 样品放置 . ：确保样品面积大于电极，避免空气间隙影响精度。

. 谐振调节 . ：旋转电容旋钮至Q值峰值，系统自动计算介电常数。

. 数据记录 . ：软件直接输出ε和tanδ，支持温度/偏压等参数联动分析。

应用领域

. 电子制造 . ：评估PCB基板、电容介质材料的高频性能。

. 新材料研发 . ：优化高分子、纳米材料的极化特性。

. 质量控制 . ：检测陶瓷、云母等绝缘材料的批次一致性

电感：

线圈号 ； ； ；测试频率 ； ； ；Q值  ； ； ；分布电容p  ； ； ； ； ； ；电感值  ；

 ； ；9  ； ； ； ； ； ； ； ；100KHz  ； ； ； ； ；98  ； ； ； ； ； ；9.4  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；25mH

 ； ；8  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ； ；138  ； ； ； ； ； ；11.4  ； ； ； ； ； ； ；4.87mH

 ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ；202  ； ； ； ； ； ；16  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；0.99mH

 ； ；6  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；1MHz  ； ； ； ；196  ； ； ； ； ； ；13  ； ； ； ； ； ； ； ； ；252μH

 ； ；5  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；2MHz  ； ； ； ；198  ； ； ； ； ； ；8.7  ； ； ； ； ； ； ；49.8μH

 ； ；4  ； ； ； ； ； ； ； ；4.5MHz  ； ； ；231  ； ； ； ； ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；10μH

 ； ；3  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；193  ； ； ； ；6.9  ； ； ； ； ； ； ； ；2.49μH

 ； ；2  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；229  ； ； ； ；6.4  ； ； ； ； ； ； ；0.508μH  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ；1  ； ；25MHz，50MHz  ； ；233，211  ； ； ；0.9  ； ； ； ； ； ；0.125μH

介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。

损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。

玻璃的损耗

复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

介质损耗（dielectric loss）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。

介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。

离子晶体的损耗

离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。

紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O3?2SiO2）、董青石（2MgO?2Al2O3?5SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。